プレスリリース・研究成果

トポロジーの変化に伴う巨大磁気抵抗効果を発見 -非散逸電流のスイッチング原理を確立-

 東北大学金属材料研究所の塚﨑敦教授、理化学研究所(理研)創発物性科学研究センター強相関物性研究グループの茂木将孝研修生(東京大学大学院工学系研究科博士課程1年)、十倉好紀グルー プディレクター(同教授)、強相関界面研究グループの川﨑雅司グループディ レクター(同教授、科学技術振興機構CREST研究代表者)、強相関量子伝導研究 チームの川村稔専任研究員らの共同研 究グループは、磁性層と非磁性層を交互に積み重ねた「トポロジカル絶縁体」 積層薄膜を開発し、磁気抵抗比10,000,000%を超える、非常に巨大な磁気抵抗 効果を発見しました。
 本成果は、米国のオンライン科学雑誌『Science Advances』(10月6日付け:日本時間10月7日)に掲載されました。
 詳細1: プレスリリース本文 [PDF:478KB]
 詳細2: Science Advances ウェブサイト [DOI:10.1126/sciadv.aao1669]

 

積層薄膜のホール伝導度と二端子抵抗の外部磁場依存性