世界で初めてGaNテンプレート基板のケミカル・リフト・オフに成功しました。この技術により高輝度・高出力青色～紫外LED用GaNテンプレート基板を提供することができ、高輝度・高出力LED(発光ダイオード)やLD(レーザーダイオード)の低コスト商品化のマイル・ストーンとなる技術であり、光・電子デバイス産業に与える影響は大きいと思われます。ケミカル・リフト・オフを可能にしたキー技術は従来の低温バッファー層に代わって金属バッファー層を介したGaN系デバイス構造の作製技術の開発です。これにより、LEDデバイスのスループットの大幅な増大と工程数の減少によってプロセスコストの大幅な低減が可能になります。成果はNHKのニュース(4月6日)で放送されるとともに、日刊工業新聞、河北新報(4月7日付)や朝日新聞(4月8日付)で紹介されました。
図 金属バッファー層上に形成した青色LEDからの発光。通常のLEDを凌ぐデバイス特性を示す。
八百グループ （電子材料物性学研究部門）