プレスリリース・研究成果

プルトニウム化合物の新しい超伝導発生メカニズムを解明

  プルトニウム化合物超伝導体PuRhGa5の単結晶育成に初めて成功し、その超伝導発生メカニズムを解明した。超伝導が壊れる臨界磁場 Hc2が結晶の向きによって大きく異なることを見出した。また、Ga核の核四重極共鳴(NQR)スペクトルの観測によって、フェルミ面上の超伝導ギャップが一様ではなく部分的に閉じていることを明らかにした。これらの結果は、PuRhGa5が、磁気を媒介とした新しいタイプの超伝導体であることを示している。成果は、科学新聞の一面 (6月10日)、日刊工業新聞(6月17日)、NHK水戸デジタル放送、NHK水戸FMで報道された。また、論文はJ.Phys.Soc.Jpn.の「Papers of Editor's Choice」に選ばれた。本研究は日本原子力研究所、大阪大学との共同研究である。
図:PuRhGa5のフェルミ面と超伝導ギャップの模式図。 (a) 一様に超伝導ギャップが開いている場合。(b)ギャップにノードがある場合。

図:PuRhGa5のフェルミ面と超伝導ギャップの模式図。(a) 一様に超伝導ギャップが開いている場合。(b)ギャップにノードがある場合。