プレスリリース・研究成果

磁性半導体に対する新しい数値解析法の開発

金属物性論研究部門は、東京大学工学研究科と共同で、磁性半導体に対する新しい数値解析方法を開発しました。この方法を用いることで、現実的な物質中の磁気的性質を、電子間相互作用を含めて正確に解析することが可能になりました。今回提案された方法は、磁性半導体の理論的解析に新しい展開を与えており、高いキュリー温度を持つ強磁性半導体の物質設計や、強磁性半導体における磁気的臨界現象に対しても有効な解析ができるものと期待されています。この結果は、日本物理学会が発行する英文誌「Journal of the Physical Society of Japan」の2009年8月号に注目記事として掲載されました。また、9月3日付けの科学新聞で関連記事が掲載されました。

図: 磁性半導体(Ga,Mn)As の構造。MnがGaとランダムに置換される。 Mnは磁性を持っており、全ての磁石が同じ方向を向くとき、強磁性半導体となる。

図: 磁性半導体(Ga,Mn)As の構造。MnがGaとランダムに置換される。
Mnは磁性を持っており、全ての磁石が同じ方向を向くとき、強磁性半導体となる。