プレスリリース・研究成果

電極修飾による理想的な有機薄膜トランジスタ構造の作製に成功

 

量子表面界面科学研究部門は、東京大学新領域創成科学研究科と共同で、有機薄膜トランジスタ作製プロセスにおいて、従来隘路となっていた電極近傍の欠陥形成が、電極部の化学修飾によって抑制される機構の解明に成功し、電極に対する接触が理想的な薄膜デバイス構造を作製するための基礎技術を確立しました。この技術は、ディスプレイ用低価格制御素子などへの応用が試みられている有機素子の特性向上に寄与するものと期待されます。この研究は金属材料研究所研究部共同研究によって行われ、成果は独Wiley社が出版するAdvanced Materials誌に10月2日付でオンライン公開されるとともに、Nature Asia Materialsウェブサイトの特集記事にて紹介されています。

fig. : 化学修飾無しの金電極をもつデバイス構造では表面エネルギー(Es) が不均一なため 薄膜蒸着時に電極近傍に欠陥構造(赤丸部)を残して しまう(上図)が、 自己組織化膜(SAMs)による電極の化学修飾によりEsは均一となり 欠陥のない有機薄膜トランジスタ構造が作製される (下図)。

fig. : 化学修飾無しの金電極をもつデバイス構造では表面エネルギー(Es) が不均一なため薄膜蒸着時に電極近傍に欠陥構造(赤丸部)を残して しまう(上図)が、自己組織化膜(SAMs)による電極の化学修飾によりEsは均一となり欠陥のない有機薄膜トランジスタ構造が作製される (下図)。