プレスリリース・研究成果

Si結晶基板の品質と太陽電池特性を瞬時に判定! -電流変調四探針抵抗率測定法 (Current-Modulating Four-Point-Probe (CMR) Method)の開発-

 東北大学金属材料研究所の藩伍根博士らは、太陽電池用Si結晶基板の新しい品質評価方法を開発しました。Si太陽電池のエネルギー変換効率は、Si結晶基板中の不均質性(あらゆる欠陥および不純物の分布)に大きく依存しますが、基板全体に空間的に存在する不均質性を、1つの測定値として評価し、得られた評価値から太陽電池特性を予測できる方法はこれまでありませんでした。今回開発した方法は、Si結晶基板中に存在する不均質性を反映した品質評価値を測定することが可能であり、太陽電池を作製しなくても太陽電池特性を判定することが可能な、従来に無い新しい評価方法です。本開発成果は、太陽電池用Si結晶基板の品質評価のみならず、太陽電池製造技術の優劣をも評価できる方法であり、次世代シリコン太陽電池の低コスト化・高効率化および太陽電池産業の発展に大きく貢献する技術です。
 本研究成果は、Applied Physics Letters誌の掲載に先立ちonline版に掲載されました(Appl. Phys. Lett. 103, 043903(2013).


( 詳細は本学HP:http://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv-press_20130726_02.pdf[PDF:359KB])