プレスリリース・研究成果

ケミカルリフトオフ技術を用いた高輝度縦型発光ダイオード(V-LED)用の作製プロセスの開発に成功

本学学際科学国際高等研究センターの八百隆文教授と金属材料研究所のCHO Meoungwhan(チョ・ミョンファン)助教授の研究グループは、昨年(平成17年)4月に、窒化物半導体のデバイスプロセス技術に革新をもたらす金属バッファー層技術とケミカルリフトオフ技術を開発した。さらに、昨年12月にはこの金属バッファー層技術とケミカルリフトオフ技術を産学連携して展開することを目的としたケミカルリフトオフ技術基盤活用コンソーシアム(幹事会社:㈱東北テクノアーチ)を設立した。最近、同研究グループは、世界に先駆けて、この金属バッファー層を利用したケミカルリフトオフによる縦型発光ダイオードの作製プロセス技術の開発に成功した。これによって、高輝度発光ダイオード作製プロセスの大幅な改善が期待される。この成果は、河北新報(平成18年10月26日付け)に紹介された。
化学リフトオフ後のチップの裏面。1mmx1mmチップが化学リフトオフされている。

化学リフトオフ後のチップの裏面。1mmx1mmチップが化学リフトオフされている。

八百グループ (電子材料物性学研究部門)