プレスリリース・研究成果

GaN LEDおよびLD用新結晶ScAlMgO4開発直径2インチ結晶引上げと画期的な劈開加工基板で実証

2014/08/08

　東北大学金属材料研究所と株式会社福田結晶技術研究所は共同で、GaNを主材料とする窒化物半導体からなる青色発光ダイオード（LED）及びブルーレイ用レーザの高性能化に向けた格子不整の小さい新しい基板ScAlMgO4（SCAM）とその適用性を確認しました。

詳細（プレスリリース本文）：[PDF:329KB]

電子材料物性学研究部門

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