プレスリリース・研究成果

磁石における電流と磁界の作用の違いを解明 -MRAM開発に寄与-

金属物性論研究部門は、東北大学電気通信研究所、JSTと共同で、強磁性半導体(Ga,Mn)Asを用いて、磁壁が非常にゆっくりと移動する現象であるクリープ運動を実験と理論の両面から詳しく調べ、磁石に電流を流した時と磁界を加えた時とでは、磁壁の運動様式が本質的に異なっていることを解明しました。これは、電流と磁界の磁壁のクリープ運動への作用が等価なものとして物理的に記述できないことを意味しています。この研究は、磁性物理学の新たな展開に資すると共に、磁壁を使った不揮発性磁気記憶素子(MRAM)の安定性を定量的に議論する基礎となります。本成果は、2007年9月21日発行のScienceに掲載され、日経産業新聞、日刊工業新聞、化学工業日報(以上、2007年9月21日付け)、河北新報(2007年10月1日付け)にそれぞれ紹介されました。
磁区と磁区の境界は磁壁と呼ばれ、磁壁内では、磁気の向き(図中の矢印)が 一つの磁区の磁気の向きから隣接する磁区の磁気の向きへと徐々に変化している。

磁区と磁区の境界は磁壁と呼ばれ、磁壁内では、磁気の向き(図中の矢印)が一つの磁区の磁気の向きから隣接する磁区の磁気の向きへと徐々に変化している。

前川グループ (金属物性論研究部門)