プレスリリース・研究成果

次世代半導体・酸化ガリウムウエハの低コスト量産化に向け東北大学発スタートアップ:株式会社FOXを起業

2024/10/17

発表のポイント

  • 東北大学と東北大学発スタートアップの株式会社C&Aが共同開発した貴金属フリーの単結晶育成技術OCCC(オートリプルシー)法を用いて、高品質な酸化ガリウム(β-Ga2O3)ウエハを量産するスタートアップ:株式会社FOXを起業しました。
  • 高価な貴金属を使用せずにβ-Ga2O3バルク単結晶製造が可能となるため、製造コストを既存の製造方法の100分の1に低減でき、デバイス製造のトータルコストの大幅削減が期待されます。
  • 株式会社FOX はVCからの出資2.7億円とNEDOのディープテック・スタートアップ支援基金/ディープテック・スタートアップ支援事業(DTSU事業)(5億円)採択を受け、東北大学との共創体制で半導体事業の産業振興と脱炭素社会実現への貢献を目指します。

概要

 カーボンニュートラル実現に向け、家電・電気自動車・産業用機械・再生可能エネルギー等の電力変換をおこなうパワーデバイスの省エネルギー化が必要となっています。β-Ga2O3は、シリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)に比べてバンドギャップが広く、更に高性能でエネルギー損失の少ないパワーデバイスとして期待されています。加えてβ-Ga2O3はシリコン(Si)同様に融液成長が可能なため、理論的には低コストで低欠陥の単結晶基板(ウエハ)作製が可能です。

 しかしながら従来の結晶育成法では、高融点酸化物の融液を保持するルツボに貴金属であるイリジウム(Ir:約2.6万円/g@2024年8月相場)を用いており、定期的な改鋳も必要なことから、Ir由来のコストが半導体前工程の一部の薄膜製造を含むコストの6割以上を占め、β-Ga2O3デバイスの製造コストの低減が非常に困難でした。現状、β-Ga2O3基板は次世代パワー半導体の代表格のSiC基板よりも高価となり、β-Ga2O3の普及は進んでいません。

 この課題を解決すべく、東北大学発スタートアップ株式会社FOXを起業しました。マクニカ・インベストメント・パートナーズ、岩谷ベンチャーキャピタル、合同会社東北テックベンチャーズ等からの出資とNEDO DTSU事業の支援を受け、β-Ga2O3の低コストで低欠陥の大口径ウエハ製造技術を確立して量産することで、β-Ga2O3パワーデバイスの社会実装を促し、脱炭素社会の実現に大きく貢献することが期待されます。 

詳細

記者会見の様子(10月17日)

 

図1:OCCC 法の概要図