プレスリリース・研究成果

トポロジカル物質の潜在的に優れた特性を理論と実験で実証 ─スピントロニクス素子のさらなる低消費電力化に期待─

2023/09/05

発表のポイント

  • トポロジカル物質の一つであるコバルト・スズ・硫黄化合物(Co3Sn2S2)をベースに、スピンホール効果(電流を流すと横方向にスピンの流れ(スピン流)が生じる現象)を最大化するための材料設計を理論提案し、実験的に実証しました。
  • 低温で磁石になるCo3Sn2S2の一部をインジウム(In)またはニッケル(Ni)に置換した材料について、低温での異常ホール効果と室温でのスピンホール効果を評価し、2つのホール効果の相関を確認しました。
  • 異常ホール効果の情報をもとにスピンホール効果の大きさを理論予測できるため、材料探索の高速化が期待されます。

概要 

スピンの流れ(スピン流)を積極的に利用し、スピンの方向で情報を記憶するスピントロニクス素子は、半導体エレクトロニクスだけでは難しい機能性(例えば低消費電力化など)を実現できるデバイスとして期待を集めています。しかしながら電流とスピン流との変換効率をいかに向上させるかが高性能化の鍵であり、高い変換効率の材料を探し出すための材料探索指針を示すことが切望されていました。

今回、東北大学金属材料研究所のラウ ヨンチャン(Yong-Chang Lau)特任助教(研究当時:現中国科学院物理研究所准教授)と関剛斎准教授、東北大学大学院理学研究科の小沢耀弘大学院生(研究当時)らの研究グループは、トポロジカル物質の電子状態に着目することで、磁石の中に現れる「異常ホール効果」と非磁石の「スピンホール効果」の大きさをそれぞれ理論計算から予測し、実験的にその材料探索指針を実証することに成功しました。今回の成果は、高いスピン変換効率を示す材料を探し出すための指針となり、トポロジカル物質をスピントロニクスに利用するための材料開発が加速し、将来の半導体エレクトロニクス素子の低消費電力化に大きく寄与するものと期待されます。

本研究成果は、2023年8月25日付で、米国物理学会の専門誌Physical Review Bに注目論文(Editors’ Suggestion)としてオンライン掲載されました。

詳細

 

図1.  強磁性Co3Sn2S2における異常ホール伝導度、常磁性Co3Sn2S2におけるスピンホール伝導度の理論計算結果。最大となるエネルギーが各々異なっている。