採用情報

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業（JST CREST）「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」における研究課題「トポロジカル機能界面の創出」に関する研究業務。具体的には、トポロジカル物質群の薄膜物性研究およびそれらの薄膜を用いた接合デバイスの開発を行う。新規トポロジカル物質群の薄膜工学や、トポロジカル界面物性の電気的制御に関する物性研究、磁性体あるいは超伝導体との接合系における輸送現象を開拓する研究に取り組む。薄膜作製やデバイス加工および物性計測の経験を持って意欲的に取り組んで頂ける方。

博士の学位を有すること。ただし着任時期までに博士号取得が見込まれるものも含む。

2020年4月1日以降のできるだけ早い時期

（１）履歴書（写真添付）。連絡先（住所、電話番号、メールアドレス等）。
（２）業績リスト（論文リスト、学会講演等）。フォーマットは自由。
（３）主な論文の写し（3編以内）
（４）これまでの研究業績（A4用紙2ページ以内）
（５）今後の研究計画（A4用紙1ページ以内）
（６）Publons researcher IDもしくはORCID IDなど。
（７）照会可能な者2名の氏名と連絡先

〒980-8577　仙台市青葉区片平2-1-1
東北大学金属材料研究所　低温物理学研究部門
教授　塚﨑　敦　宛

郵送にて締切日までにご提出下さい。
※郵送の場合：応募書類の封筒表面には「低温物理学研究部門 特任助教 応募書類」と朱書きし、必ず書留にてお送り下さい。資料受領後にメールにて連絡致しますので、連絡のない場合はお問い合わせください。
※原則として応募書類の返却はいたしません。
※履歴書は本応募の用途に限り使用し、個人情報は正当な理由なく第三者へ開示することは一切ありません。

教授　塚﨑　敦
TEL：022-215-2085
E-mail： tsukazaki_at_imr.tohoku.ac.jp (_at_を@に変えてください)