材料設計研究部

材料照射工学研究部門

Yasuyoshi NAGAI

教授永井 康介

  • 准教授 井上 耕治
  • 助教 清水 康雄
  • 助教 南雲 一章

照射欠陥の本質的解明と機能制御を目指して

当部門では、原子力関連の鉄鋼(圧力容器鋼用低合金鋼、シュラウド用ステンレス鋼など)や半導体(シリコン、ゲルマニウムなど)を対象に、材料中の照射欠陥、格子欠陥、不純物・添加元素の超微小析出物(サブナノ粒子)や界面偏析の形成機構とその構造などの解明を目的として、陽電子消滅、3次元アトムプローブ、電子顕微鏡を用いた実験を推進しています。そして、様々な理論との比較・検討を行い、上記の欠陥や析出物の電子状態までさかのぼった理解と制御を目指しています。

原子力材料、半導体、陽電子、3次元アトムプローブ、電子顕微鏡
STEM による電子線トモグラフィーとアトムプローブを組み合わせた新しい3次元微小欠陥

STEM による電子線トモグラフィーとアトムプローブを組み合わせた新し い3次元微小欠陥- 元素分析や陽電子消滅法により、微細な照射欠陥と不純 物析出・偏析の相関を解明できる。

3次元アトムプローブ分析による半導体デバイス中のドーパント分布。

3次元アトムプローブ分析による半導体デバイス中 のドーパント分布。粒界や酸化膜界面における偏析 が見られる。

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