材料物性研究部

低温物理学研究部門

Atsushi TSUKAZAKI

教授塚﨑 敦

  • 准教授 藤原 宏平
  • 助教 塩貝 純一
  • 助教 原田 尚之

超高品質薄膜界面の物性開拓

本部門では、固体界面に特有な物性の開拓と機能開発を行っています。特に、真空プロセスを介した薄膜合成技術を駆使することで、原子配列の制御された急峻な界面に立脚した研究を展開しています。それら試料を用いることで、固体物質自身の持つ特性を引き出すとともに、界面で特異的に発現する機能の開発を目指しています。

これまでに、薄膜化技術や伝導性制御技術の高度化にも取り組み、酸化物を基盤とする新規量子輸送系の発現を見出してきました。最近では、半導体デバイス構造を用 いた電界効果に加え、我々が確立した電気化学的極薄膜化手法を駆使し、層状物質やトポロジカル絶縁体、さらには、これまで薄膜研究例の無かった物質における超伝導 や量子輸送現象の開拓に挑んでいます。これらの研究を通して、界面における低温物性の理解を深化させ、物質設計と物性発現の相補的発展を目指します。

薄膜合成、界面物性、酸化物、カルコゲナイド
超高品質薄膜界面の作製と物性評価。スズ系透明酸化物半導体(左上)、トポロジカル絶縁体(Bi,Sb)2Se3におけるフェルミレベル制御(左下)、分子線エピタキシー装置(中)、FeSe極薄膜超伝導体の電界制御(右)

超高品質薄膜界面の作製と物性評価。スズ系透明酸化物半導体(左上)、トポロジカル絶縁体(Bi,Sb)2Se3におけるフェルミレベル制御(左下)、分子線エピタキシー装置(中)、FeSe極薄膜超伝導体の電界制御(右)

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