電子材料物性学研究部門 Nitride Semiconductorsの 可能性を求めて	教授　松岡　隆志
http://www.matsuoka-lab.imr.tohoku.ac.jp/ 工学研究科応用物理学専攻	准教授　片山　竜二 助教　花田　貴 助教　劉　玉懐

　ユビキタス通信などの高度情報化社会を支えるエレクトロニクスの発展において、電子材料はキーとなっています。新しい電子材料の出現が、エレクトロニクスに革命的な発展をもたらします。本研究部門では、デバイス開発を念頭におき、新しい電子材料の研究開発に取り組んでいます。現在取り上げている材料は、青色発光ダイオードに用いられている窒化物半導体です。1987年のInGaAlNの提案以来、有機金属気相成長法によるエピタキシャル成長、混晶材料の混和領域の予測、種々のエピタキシャル成長用基板の提案、結晶極性（原子の積層順）と成長モード・物性との関わりなどの研究を、特にインジウムを含む系について行ってきました。InNの薄膜成長を行い、そのバンドギャップが従来言われていた可視域ではなく赤外域にあることも明らかにしました。InNのさらなる高品質薄膜成長や物性評価の研究を進め、光ファイバ通信用光源において切望されている温度に対して安定な光源への適用の可能性を探っていきます。また、結晶構造に由来する窒化物半導体特有の非線形光学効果、励起子効果や磁気光学効果などの高次光学効果を引き出すべくフォトニックナノ構造を導入し、高機能な非線形光学素子の提案と、その実現を図ります。